Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO
文献类型：期刊论文
| 作者 | Z. Z. Weng ; J. M. Zhang ; Z. G. Huang ; W. X. Lin |
| 刊名 | Chinese Physics B
 |
| 出版日期 | 2011-02 |
| 卷号 | 20期号:2 |
| 关键词 | Co-doped ZnO oxygen vacancy ferromagnetism thin-films ferromagnetism semiconductors energy |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://iopscience.iop.org/1674-1056/20/2/027103/pdf/1674-1056_20_2_027103.pdf |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/1564]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Z. Z. Weng,J. M. Zhang,Z. G. Huang,et al. Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO[J]. Chinese Physics B,2011,20(2). |
| APA | Z. Z. Weng,J. M. Zhang,Z. G. Huang,&W. X. Lin.(2011).Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO.Chinese Physics B,20(2). |
| MLA | Z. Z. Weng,et al."Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO".Chinese Physics B 20.2(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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