Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal
文献类型：期刊论文
| 作者 | D. G. Chen, Y. J. Wang, Z. Lin, J. K. Huang, X. Z. Chen, D. M. Pan and F. Huang |
| 刊名 | Crystal Growth & Design
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| 出版日期 | 2010-05 |
| 卷号 | 10期号:5页码:2057-2060 |
| 关键词 | electrical-conduction cuprous delafossites defect mechanisms copper halides thin-films transport zno nitride devices cualo2 |
| ISSN号 | 1528-7483 |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/cg100270d |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-11-02 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/1966]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | D. G. Chen, Y. J. Wang, Z. Lin, J. K. Huang, X. Z. Chen, D. M. Pan and F. Huang. Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal[J]. Crystal Growth & Design,2010,10(5):2057-2060. |
| APA | D. G. Chen, Y. J. Wang, Z. Lin, J. K. Huang, X. Z. Chen, D. M. Pan and F. Huang.(2010).Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal.Crystal Growth & Design,10(5),2057-2060. |
| MLA | D. G. Chen, Y. J. Wang, Z. Lin, J. K. Huang, X. Z. Chen, D. M. Pan and F. Huang."Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal".Crystal Growth & Design 10.5(2010):2057-2060. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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