Band gap energy and bowing parameter of In-rich InAlN films grown by magnetron sputtering
文献类型：期刊论文
| 作者 | H. He, Y. G. Cao, R. L. Fu, W. Guo, Z. Huang, M. L. Wang, C. G. Huang, J. Q. Huang and H. Wang |
| 刊名 | Applied Surface Science
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| 出版日期 | 2010-01 |
| 卷号 | 256期号:6页码:1812-1816 |
| 关键词 | semiconducting III-V materials InAlN optical properties magnetron sputtering optical-properties electronic-structure absorption-edge mbe-growth thin-films alxin1-xn sapphire epitaxy |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://ac.els-cdn.com/S0169433209014445/1-s2.0-S0169433209014445-main.pdf?_tid=fd8b6b53e511e6ee4fecb6ed88818024&acdnat=1338976937_aeae3728d595e91faa9106cc75123768 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-11-02 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/2055]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | H. He, Y. G. Cao, R. L. Fu, W. Guo, Z. Huang, M. L. Wang, C. G. Huang, J. Q. Huang and H. Wang. Band gap energy and bowing parameter of In-rich InAlN films grown by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science,2010,256(6):1812-1816. |
| APA | H. He, Y. G. Cao, R. L. Fu, W. Guo, Z. Huang, M. L. Wang, C. G. Huang, J. Q. Huang and H. Wang.(2010).Band gap energy and bowing parameter of In-rich InAlN films grown by magnetron sputtering.Applied Surface Science,256(6),1812-1816. |
| MLA | H. He, Y. G. Cao, R. L. Fu, W. Guo, Z. Huang, M. L. Wang, C. G. Huang, J. Q. Huang and H. Wang."Band gap energy and bowing parameter of In-rich InAlN films grown by magnetron sputtering".Applied Surface Science 256.6(2010):1812-1816. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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