End-pumped Tm,Ho:NaY(WO4)(2) crystal laser at 2.07 mu m
文献类型：期刊论文
| 作者 | F. G. Yang, C. L. Sun, Z. Y. You, C. Y. Tu, G. Zhang and H. Y. Zhu |
| 刊名 | Laser Physics
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| 出版日期 | 2010-08 |
| 卷号 | 20期号:8页码:1695-1697 |
| 关键词 | continuous-wave operation diode tm growth nm |
| ISSN号 | 1054-660X |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://www.springerlink.com/content/n62755146u666w17/fulltext.pdf |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-11-02 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/2300]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | F. G. Yang, C. L. Sun, Z. Y. You, C. Y. Tu, G. Zhang and H. Y. Zhu. End-pumped Tm,Ho:NaY(WO4)(2) crystal laser at 2.07 mu m[J]. Laser Physics,2010,20(8):1695-1697. |
| APA | F. G. Yang, C. L. Sun, Z. Y. You, C. Y. Tu, G. Zhang and H. Y. Zhu.(2010).End-pumped Tm,Ho:NaY(WO4)(2) crystal laser at 2.07 mu m.Laser Physics,20(8),1695-1697. |
| MLA | F. G. Yang, C. L. Sun, Z. Y. You, C. Y. Tu, G. Zhang and H. Y. Zhu."End-pumped Tm,Ho:NaY(WO4)(2) crystal laser at 2.07 mu m".Laser Physics 20.8(2010):1695-1697. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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