The Transition between Conformal Atomic Layer Epitaxy and Nanowire Growth
文献类型：期刊论文
| 作者 | R. B. Yang, N. Zakharov, O. Moutanabbir, K. Scheerschmidt, L. M. Wu, U. Gosele, J. Bachmann and K. Nielsch |
| 刊名 | Journal of the American Chemical Society
 |
| 出版日期 | 2010-06 |
| 卷号 | 132期号:22页码:7592-+ |
| 关键词 | molecular-beam epitaxy low-temperature core-shell semiconductor nanowires silicon nanowires gaas nanowires vls growth heterostructures nanorods si |
| ISSN号 | 0002-7863 |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/ja102590v |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-11-02 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/2326]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R. B. Yang, N. Zakharov, O. Moutanabbir, K. Scheerschmidt, L. M. Wu, U. Gosele, J. Bachmann and K. Nielsch. The Transition between Conformal Atomic Layer Epitaxy and Nanowire Growth[J]. Journal of the American Chemical Society,2010,132(22):7592-+. |
| APA | R. B. Yang, N. Zakharov, O. Moutanabbir, K. Scheerschmidt, L. M. Wu, U. Gosele, J. Bachmann and K. Nielsch.(2010).The Transition between Conformal Atomic Layer Epitaxy and Nanowire Growth.Journal of the American Chemical Society,132(22),7592-+. |
| MLA | R. B. Yang, N. Zakharov, O. Moutanabbir, K. Scheerschmidt, L. M. Wu, U. Gosele, J. Bachmann and K. Nielsch."The Transition between Conformal Atomic Layer Epitaxy and Nanowire Growth".Journal of the American Chemical Society 132.22(2010):7592-+. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。