硫锡钡单晶体及其制备和用途
文献类型：专利
| 作者 | 罗中箴,林晨升,程文旦,张炜龙,张浩. |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 罗中箴,林晨升,程文旦,张炜龙,张浩. |
| 中文摘要 | 本发明涉及硫锡钡单晶体及其合成和应用。硫锡钡的分子式为Ba7Sn5S15，分子量为2035.91，属六方晶系，空间群P63cm，单胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝6。采用密封真空石英管及石墨坩埚高温反应法制备。硫锡钡晶体具有优良的红外非线性光学性能，实验测定其粉末(粒度150-212μm)SHG强度约为相应粒度AgGaS2的2倍；在粒度为45-75μm时，达到AgGaS2的10倍，且满足I类相位匹配。 |
| 公开日期 | 2012-11-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201210128628.0 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/3918]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗中箴,林晨升,程文旦,张炜龙,张浩.. 硫锡钡单晶体及其制备和用途. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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