一种中红外发光硫卤玻璃及其制备技术
文献类型:专利
作者 | 林航,陈大钦,余运龙,杨安平,王元生. |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 林航,陈大钦,余运龙,杨安平,王元生. |
中文摘要 | 本发明公开一种2.7微米中红外发光硫卤玻璃及其制备技术。该玻璃采用熔体急冷法制备,其组分和摩尔百分含量为GeS2:50-70mol%;Ga2S3:15-35mol%;CsCl:5-15mol%;Er2S3:0.1-0.5mol%;Nd2S3:0-0.15mol%(上述各组分含量之和为100mol%)。由于具有出色的红外透过率和良好的热学与机械性能,该类中红外发光材料可望应用于2.7微米中红外激光器。 |
公开日期 | 2012-11-09 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201110400933.6 |
源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4012] ![]() |
专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 林航,陈大钦,余运龙,杨安平,王元生.. 一种中红外发光硫卤玻璃及其制备技术. |
入库方式: OAI收割
来源:福建物质结构研究所
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