一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法
文献类型：专利
| 作者 | 李国辉,苏根博,林秀钦,李征东,庄欣欣. |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 李国辉,苏根博,林秀钦,李征东,庄欣欣. |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法。在配料槽中，配制成饱和KDP生长溶液后，用吊晶法精确测量饱和溶液的饱和温度。饱和溶液过热恒温24小时，过滤导入装有快速生长载晶架的晶体生长槽中，载晶架上不放籽晶，生长槽外水浴温度与饱和溶液过热温度相同。载晶架的转动模式与快速生长的转动模式相同，饱和溶液的降温模式与快速生长的降温模式相同。生长溶液温度降至饱和温度时，开始观察生长槽。当观察到生长槽内出现第一颗自发结晶时，记录下温度计读数，此温度与饱和温度差即为亚稳区宽度。该方法可以精确测量大型晶体生长槽中的KDP饱和溶液的亚稳区宽度。 |
| 公开日期 | 2012-11-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910111598.0 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4601]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国辉,苏根博,林秀钦,李征东,庄欣欣.. 一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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