一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 李国辉,汪剑成,郑国宗,庄欣欣,贺友平,林秀钦. |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 李国辉,汪剑成,郑国宗,庄欣欣,贺友平,林秀钦. |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法。本发明采用溶液降温法快速生长大口径KDP晶体，但改变了以往只在Z方向生长的做法，采用添加剂以促进KDP晶体沿X，Y，Z三个方向同时快速生长。采用小籽晶进行大口径晶体生长，可以一步到位，快速地生长出所需要的籽晶尺寸或可用晶体，操作方便，生长出的方形晶体利用率高，同时由于籽品尺寸甚小，成锥恢复时间短，因此籽晶本身的缺陷延伸少，节省了溶液中的固体原料。 |
| 公开日期 | 2012-11-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910111247.X |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4665]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国辉,汪剑成,郑国宗,庄欣欣,贺友平,林秀钦.. 一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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