一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 李国辉,李征东,苏根博,贺友平,林秀钦,庄欣欣. |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 李国辉,李征东,苏根博,贺友平,林秀钦,庄欣欣. |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法。该方法包括如下步骤：在籽晶成锥时，初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥，控制降温速率为0.05℃/天；籽晶闭锥后，采用分阶段降温模式，晶体闭锥至50℃，保持降温速率0.05℃/天；50℃至35℃，保持降温速率0.1℃/天，35℃至室温，保持降温速率0.15℃/天；晶体转动模式按照“加速-正转-减速-停转-加速-反转-减速-停转”循环顺序，时间间隔为“20秒-60秒-20秒-20秒-20秒-60秒-20秒-20秒”的模式转动籽晶，保持正反转速率为40-60转/分。 |
| 公开日期 | 2012-11-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810071779.0 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4684]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国辉,李征东,苏根博,贺友平,林秀钦,庄欣欣.. 一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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