掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件
文献类型：专利
| 作者 | 陈长章,洪茂椿,李定,林海南,蔡诗聪. |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 陈长章,洪茂椿,李定,林海南,蔡诗聪. |
| 中文摘要 | 本发明涉及人工晶体领域，尤其涉及低温相偏硼酸钡掺杂单晶体及其生长方法和变频器件。采用熔盐法生长。该单晶完全克服了BBO潮解性强的缺点，几乎不潮解；其倍频效应和光损伤阈值相对于BBO有较大提高；硬度显著增大，该单晶体的肖氏硬度为101.3，莫氏硬度为6，而BBO的肖氏硬度为71.2，莫氏硬度为4。从可见一紫外光区透过率曲线测试，该单晶体的截止波长为190nm，开始吸收波长为205nm。这些优于BBO的性能，可能使BBSAG在激光非线性光学领域、紫外、深紫外变频器件方面，有广阔的前景。 |
| 公开日期 | 2012-11-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200880129907.0 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4708]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈长章,洪茂椿,李定,林海南,蔡诗聪.. 掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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