一类硫硒锌化合物光敏电阻材料
文献类型：专利
| 作者 | 邹建平,郭国聪,李 艳,卢莹冰,张章静,王明盛,吴科俊. |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 邹建平,郭国聪,李 艳,卢莹冰,张章静,王明盛,吴科俊. |
| 中文摘要 | 一类硫硒锌化合物光敏电阻材料，涉及新型光敏电阻材料。该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnSe1-xSx(0＜x＜1)，特点是S元素部分替代Se元素并且S元素占据被替代Se元素的晶格位置，该类化合物为立方晶系，空间群为F43m(No.216)，单胞参数为a=b=c=5.1～5.9，α＝β＝γ＝90°，Z＝4。该类光敏电阻材料的制备可采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法，分别得到它们的化合物及其单晶和薄膜材料。该类材料的带隙可通过x值来调控，响应波长较宽、灵敏度较高、结构稳定、组分均匀、制备工艺简单，性能可与现有的光敏电阻材料相媲美的新型无镉无铅光敏电阻材料。 |
| 公开日期 | 2012-11-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101294305 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4950]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹建平,郭国聪,李 艳,卢莹冰,张章静,王明盛,吴科俊.. 一类硫硒锌化合物光敏电阻材料. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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