Y-branched Bi nanowires with metal–semiconductor junction behavior (1).
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tian, YT; Meng, GW ; Biswas, SK; Ajayan, PM; Sun, SH; Zhang, LD
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| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2004-08-01 |
| 卷号 | 85期号:85 |
| 公开日期 | 2012-11-22 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/8793]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tian, YT,Meng, GW,Biswas, SK,et al. Y-branched Bi nanowires with metal–semiconductor junction behavior (1).[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2004,85(85). |
| APA | Tian, YT,Meng, GW,Biswas, SK,Ajayan, PM,Sun, SH,&Zhang, LD.(2004).Y-branched Bi nanowires with metal–semiconductor junction behavior (1)..APPLIED PHYSICS LETTERS,85(85). |
| MLA | Tian, YT,et al."Y-branched Bi nanowires with metal–semiconductor junction behavior (1).".APPLIED PHYSICS LETTERS 85.85(2004). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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