具有共背面电极的面光源VCSEL
文献类型：专利
| 作者 | 谭少阳; 王俊; 吴涛; 刘恒 |
| 发表日期 | 2019-10-25 |
| 专利号 | CN209544385U |
| 著作权人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 具有共背面电极的面光源VCSEL |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种具有共背面电极的面光源VCSEL，其包括：发光芯片、半导体外延层、半导体衬底层、外延面电极、衬底电极、第一背电极以及第二背电极；半导体外延层位于半导体衬底层的正面，发光芯片位于半导体外延层上，发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，第一背电极和第二背电极位于半导体衬底层的背面，外延面电极一端与上DBR层的上表面相连接，另一端与第一背电极相连接，衬底电极位于半导体外延层上，并与第二背电极相连接。本实用新型的面光源中，正负电极都设置在背面，同时在正面没有金属跳线，如此有利于面光源空间上的垂直集成。 |
| 公开日期 | 2019-10-25 |
| 申请日期 | 2018-12-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32180]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭少阳,王俊,吴涛,等. 具有共背面电极的面光源VCSEL. CN209544385U. 2019-10-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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