一种天基半导体列阵技术
文献类型：专利
| 作者 | 蔡然; 薛蔡; 曾岚; 蔡贵顺; 荣健; 钟晓春 |
| 发表日期 | 2009-12-02 |
| 专利号 | CN100565275C |
| 著作权人 | 蔡然 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种天基半导体列阵技术 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种服务于航天、实现于潜望结构输出的反向波前畸变半导体列阵激光源技术，给出了能够适应宇航环境而正常工作的潜望式反向波前畸变半导体列阵激光源的系统设计方式方法，给出了二次传测技术测量由舱外反射镜变形导致列阵输出恶化的波前畸变的方式方法，并给出了相应补偿的方式方法。一方面，潜望式结构将半导体列阵安置在舱内，使其能够正常工作；同时，因环境温差和半导体输出激光束照射，舱外反射镜会发生变形。主动感测光源发出的光束经扩束分光射向发生热变形的舱外反射镜，被其反射向舱外激光输出口，而后，经舱外激光输出口逆向反射，二次经过发生热变形的舱外反射镜，并被逆向反射至探测器，拾取波前斜率，经处理器处理后，热变形的变形量大小被探知，接着，处理器配合D/A和高压放大器驱动驱动器，使舱内添加的反射镜作与舱外反射镜的不规则变形相反的变形，从而将舱外反射镜热变形带给列阵输出光束的影响抵消掉，以保障半导体列阵激光源输出的高质量。 |
| 公开日期 | 2009-12-02 |
| 申请日期 | 2007-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32249]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 蔡然 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡然,薛蔡,曾岚,等. 一种天基半导体列阵技术. CN100565275C. 2009-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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