半导体发光装置
文献类型：专利
| 作者 | 城岸直辉; 增井勇志; 幸田伦太郎; 荒木田孝博 |
| 发表日期 | 2013-01-02 |
| 专利号 | CN101794966B |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供半导体发光装置，其包括：半导体发光元件，依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层和第二多层反射器；半导体光检测元件，相对于半导体发光元件设置于第一多层反射器侧，并且包括构造为吸收从发光区域发射的光的光吸收层；以及绝缘氧化层，设置在半导体发光元件和半导体光检测元件之间。 |
| 公开日期 | 2013-01-02 |
| 申请日期 | 2010-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 城岸直辉,增井勇志,幸田伦太郎,等. 半导体发光装置. CN101794966B. 2013-01-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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