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一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置

文献类型:专利

作者朱君; 徐汶菊; 秦柳丽; 傅得立; 朱勇建; 宋树祥
发表日期2016-11-30
专利号CN205752983U
著作权人广西师范大学
国家中国
文献子类实用新型
其他题名一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置
英文摘要本实用新型公开了一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置,其特征是,包括顺序叠接的底层硅基层、介电层和金属层;所述的硅基层为包裹GaN纳米线的硅基层;所述的介电层为MgF2介电层;所述的金属层材质为Au。这种装置局域化特性强、增益阈值低、亚波长量级可集成,对于生物监测、光通信领域都有广泛潜在应用。
公开日期2016-11-30
申请日期2016-05-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32294]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位广西师范大学
推荐引用方式
GB/T 7714
朱君,徐汶菊,秦柳丽,等. 一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置. CN205752983U. 2016-11-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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