一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器
文献类型:专利
作者 | 邱英; 肖希; 陈代高; 王磊; 李淼峰; 杨奇 |
发表日期 | 2019-04-16 |
专利号 | CN106785906B |
著作权人 | 武汉邮电科学研究院 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器 |
英文摘要 | 一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器,涉及光通信的集成光学领域,光源的输出端连接第一硅基光耦合器,第一硅基光耦合器连接第一多模干涉仪,第一多模干涉仪分别连接第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器,第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间设置第二多模干涉仪,第二多模干涉仪有两个输出端,一个连接第二硅基微环滤波器,另一个为整个硅基外腔激光器的输出端;所述硅基外腔激光器还包括一个非对称马赫‑曾德干涉仪,其设置于第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间;两个硅基微环滤波器和非对称马赫‑曾德干涉仪上分别加载有热电阻;本发明满足波长可调的同时,实现功率可调,增加可调谐激光器的使用范围。 |
公开日期 | 2019-04-16 |
申请日期 | 2017-02-21 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32491] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉邮电科学研究院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱英,肖希,陈代高,等. 一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器. CN106785906B. 2019-04-16. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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