边发射激光器耦合结构
文献类型：专利
| 作者 | 何慧敏; 孙瑜; 刘丰满 |
| 发表日期 | 2019-04-09 |
| 专利号 | CN208723312U |
| 著作权人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 边发射激光器耦合结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种边发射激光器耦合结构，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。通过本实用新型，设置在布线结构上的边发射激光器的侧向出光面便可以不经反射而直接射向待耦合器件的入光面，无需精确贴装反光器件，降低了工艺复杂度。 |
| 公开日期 | 2019-04-09 |
| 申请日期 | 2018-08-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32582]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何慧敏,孙瑜,刘丰满. 边发射激光器耦合结构. CN208723312U. 2019-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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