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近接場光発生素子を備えた熱アシスト磁気記録ヘッド

文献类型:专利

作者佐々木 芳高; 伊藤 浩幸; 種村 茂樹; 荒木 宏典
发表日期2015-01-16
专利号JP5680295B2
著作权人ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
国家日本
文献子类授权发明
其他题名近接場光発生素子を備えた熱アシスト磁気記録ヘッド
英文摘要【課題】近接場光の発生に利用される光の利用効率を高める。 【解決手段】熱アシスト磁気記録ヘッドは、磁極20と、導波路26と、近接場光発生素子23と、これらが積層された基板1とを備えている。近接場光発生素子23および導波路26は、磁極20に対して基板1の上面からより遠い位置に配置されている。近接場光発生素子23の外面は、媒体対向面30に配置された第1の端面と、媒体対向面30からより遠い第2の端面と、第1の端面と第2の端面を連結する連結部とを含み、第1の端面は近接場光発生部を含んでいる。導波路26の外面は、連結部の一部に対向する対向部分を含んでいる。ヘッドは、更に、導波路26の上方に配置されるレーザダイオード202から出射された光を、導波路26内を媒体対向面30に向けて進行するように反射するミラー35を備えている。 【選択図】図1
公开日期2015-03-04
申请日期2009-10-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32806]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
推荐引用方式
GB/T 7714
佐々木 芳高,伊藤 浩幸,種村 茂樹,等. 近接場光発生素子を備えた熱アシスト磁気記録ヘッド. JP5680295B2. 2015-01-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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