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レーザ加工装置、レーザ加工方法

文献类型:专利

作者酒川 友一; 中芝 伸一; 石川 正博; 松本 潤一; 長崎 克俊; 前田 勇輝
发表日期2014-09-12
专利号JP5610912B2
著作权人株式会社片岡製作所
国家日本
文献子类授权发明
其他题名レーザ加工装置、レーザ加工方法
英文摘要【課題】薄膜太陽電池のLaser Edge Deletionにおいて、積層膜を確実に除去して仕上がりを美麗にする。 【解決手段】TCO膜7、a-Si及びμc-Siを含むシリコン膜の発電層8、並びに裏面電極膜9を積層した多重積層型の薄膜太陽電池に対し、μc-Siが吸収する波長帯(500nmないし900nm)に属する半導体レーザ光2を発電層8に照射することで発電層8及び裏面電極膜9を除去するとともに、TCO膜7が吸収する波長帯(1030nmないし1100nm)に属する固体レーザ光1をTCO膜7に照射することで残りのTCO膜7を除去することとした。 【選択図】図1
公开日期2014-10-22
申请日期2010-08-16
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32867]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社片岡製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
酒川 友一,中芝 伸一,石川 正博,等. レーザ加工装置、レーザ加工方法. JP5610912B2. 2014-09-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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