レーザ加工装置、レーザ加工方法
文献类型:专利
作者 | 酒川 友一; 中芝 伸一; 石川 正博; 松本 潤一; 長崎 克俊; 前田 勇輝 |
发表日期 | 2014-09-12 |
专利号 | JP5610912B2 |
著作权人 | 株式会社片岡製作所 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | レーザ加工装置、レーザ加工方法 |
英文摘要 | 【課題】薄膜太陽電池のLaser Edge Deletionにおいて、積層膜を確実に除去して仕上がりを美麗にする。 【解決手段】TCO膜7、a-Si及びμc-Siを含むシリコン膜の発電層8、並びに裏面電極膜9を積層した多重積層型の薄膜太陽電池に対し、μc-Siが吸収する波長帯(500nmないし900nm)に属する半導体レーザ光2を発電層8に照射することで発電層8及び裏面電極膜9を除去するとともに、TCO膜7が吸収する波長帯(1030nmないし1100nm)に属する固体レーザ光1をTCO膜7に照射することで残りのTCO膜7を除去することとした。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2014-10-22 |
申请日期 | 2010-08-16 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32867] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社片岡製作所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 酒川 友一,中芝 伸一,石川 正博,等. レーザ加工装置、レーザ加工方法. JP5610912B2. 2014-09-12. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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