半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 河西 秀典; 森本 泰司; 兼岩 進治; 林 寛; 宮内 伸幸; 矢野 盛規; 塩本 武弘; 佐々木 和明; 松本 晃広; 近藤 正樹 |
| 发表日期 | 2000-11-17 |
| 专利号 | JP3129973B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力動作における半導体レーザ装置の場合には、表面準位に起因する発熱によって、端面の劣化が生じるという深刻な問題があった。この端面の劣化によって、半導体レーザの信頼性が損なわれる問題があった。特に、端面劣化の原因としては、光出射端面における酸化物に起因する表面準位によるものであり、これを抑制することによって高信頼性の半導体レーザが得られる。 【構成】 Alを含む活性層を有し、端面に保護膜が形成されている端面出射型の半導体レーザであって、該端面と該保護膜との間に、硫黄を含む膜を有する半導体レーザを提供する。 |
| 公开日期 | 2001-01-31 |
| 申请日期 | 1990-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33348]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河西 秀典,森本 泰司,兼岩 進治,等. 半導体レーザ装置. JP3129973B2. 2000-11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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