半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 増井 克栄; 宮内 伸幸 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP3084173B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザーを透明樹脂で被覆して、低コストで耐環境性の向上した半導体レーザー装置を提供する。 【構成】 ステム基体1上に固定されたステム2の側面2aに半導体レーザーチップ3とモニタ用フォトダイオードチップ4とをマウントする。さらに、このステム2の上面2bに検出用フォトダイオードチップ5をマウントする。半導体レーザーチップ3の周囲をシリコーンからなる透明樹脂11で被覆する。ステム基体1上に、ステム2を覆うようにプラスチック製のキャップ6を固定する。このキャップ6の上面に、ステム2に対向する穴6aを設ける。そして、キャップ6上に、この穴6aを覆うように、ホログラム7aを有するガラス7を固定する。 |
| 公开日期 | 2000-09-04 |
| 申请日期 | 1993-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33439]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 増井 克栄,宮内 伸幸. 半導体レーザー装置. JP3084173B2. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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