半導体レーザの光量制御装置
文献类型：专利
| 作者 | 山中 俊久 |
| 发表日期 | 2002-12-27 |
| 专利号 | JP3384211B2 |
| 著作权人 | ミノルタ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの光量制御装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 過露光や露光不足が生じすることなく、従来例に比較して短い時間で、ある程度正確な半導体レーザの光量を設定することができる半導体レーザの光量制御装置を提供する。 【解決手段】 印字のために感光体ドラム37を露光するレーザダイオード20を備えたレーザプリンタは、その光量を制御するCPU10を備えるとともに、当該光量を検出するフォトダイオード21と、上記検出された光量を所定のしきい値光量と比較して比較結果を示す比較信号COを出力するオペアンプ23のコンパレータと、コンパレータから出力される比較信号COに基づいてレーザダイオード20に電流を供給する定電流源22の供給電流の制御量を決定する判断部11とを備え、CPU10内の判断部11は、印字された前のラインの光量制御値DAに基づいて、光量検出の前に、印字すべき当該ラインの光量制御値DAを変更する。 |
| 公开日期 | 2003-03-10 |
| 申请日期 | 1995-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33512]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ミノルタ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中 俊久. 半導体レーザの光量制御装置. JP3384211B2. 2002-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。