半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高山 徹; 今藤 修; 吉川 昭男; 中西 秀行 |
| 发表日期 | 2001-09-28 |
| 专利号 | JP3236208B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 低光出力時における電流-光出力特性の非線形を改善し、低光出力時においても光出力の大きさの制御が可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 n型の半導体基板101上に、n型のバッファ層102、n型の第1光ガイド層103、活性層104、p型の第2光ガイド層105及びp型の光吸収層106が順次形成されている。光吸収層106の上における中央部にp型のストライプ領域107が形成されていると共に、光吸収層106の上におけるストライプ領域107の両側にはn型の電流ブロック層108が形成されている。ストライプ領域107及び電流ブロック層108の上にはp型の第3光ガイド層109が形成されている。光吸収層106の膜厚は5nm以上で且つ活性層104の膜厚の5分の1以下に設定されていると共に、第2光ガイド層105と光吸収層106との合計膜厚は0.3μm以下に設定されている。 |
| 公开日期 | 2001-12-10 |
| 申请日期 | 1996-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33518]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹,今藤 修,吉川 昭男,等. 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置. JP3236208B2. 2001-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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