窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 豊田 達憲; 庄野 博文; 高木 宏典 |
| 发表日期 | 2001-09-14 |
| 专利号 | JP3230572B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は、紫外光から赤色系まで発光可能な発光素子や起電力の高い受光素子などに利用可能な半導体素子の製造方法などに係わり、特に窒化物系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断する製造方法などに関する。 【解決手段】本発明は、窒化物系化合物半導体層が積層形成された半導体ウエハから窒化物系化合物半導体素子を製造する方法であり、半導体ウエハをレーザ照射により第1の溝を形成する工程と、ダイサー及び/又はスクライバーの刃先を第1の溝に沿って合わせ駆動させ半導体ウエハを分離する工程を有する窒化物系化合物半導体の製造方法である。 |
| 公开日期 | 2001-11-19 |
| 申请日期 | 1997-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33561]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 豊田 達憲,庄野 博文,高木 宏典. 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子. JP3230572B2. 2001-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。