半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮内 伸幸 |
| 发表日期 | 2002-05-10 |
| 专利号 | JP3304825B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 2個のレーザチップの発光点間の間隔を短縮できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 導電性を持つ基台部40を有するパッケージ部材1と、絶縁性部材2,12と、レーザチップ3,13を備える。各絶縁性部材2,12の表面2a,12aの前部と前端面2f,12fに第1導電膜4,14が連なって形成されるとともに、各絶縁性部材2,12の表面2a,12aの後部と後端面2r,12rに第2導電膜5,…が連なって形成されている。基台部40上に、絶縁性部材2,12が図1に示す向きにマウントされている。各絶縁性部材2,12の表面の第1導電膜4a,14a上に、レーザチップ3,13が1個ずつマウントされている。8,9,10,18,19はAuワイヤである。 |
| 公开日期 | 2002-07-22 |
| 申请日期 | 1997-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33563]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮内 伸幸. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP3304825B2. 2002-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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