半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 良久 |
| 发表日期 | 2002-02-08 |
| 专利号 | JP3276063B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光ピックアップ等の光源として組み込まれた場合に、光学系からの戻り光があってもトラッキングノイズを生じない半導体レーザ素子を製造工程を短縮して歩留り良く得る。 【解決手段】 レーザ共振器の光出射側に、共振器方向と垂直ではない光出射面を有する半導体部材4を形成して、レーザ光5を共振器方向と平行でない方向に出射させる。基板1の光出射側の端面7は共振器方向と垂直なので、光学系からの戻り光6と垂直にならず、端面7での反射光が光学系に再び戻らない。 |
| 公开日期 | 2002-04-22 |
| 申请日期 | 1997-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33564]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 良久. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3276063B2. 2002-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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