光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | ▲浜▼口 真一; 広瀬 正則; 鶴田 徹; 志水 雄三 |
| 发表日期 | 1999-11-12 |
| 专利号 | JP3002180B1 |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 迷光キャリアが吸収されて実際の信号より大きい信号が出力されることがなく、より正確な信号を出力することができる光半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板1に設けた凹部1aの周辺に信号検出用受光素子3〜8を設け、凹部1a内に半導体レーザ素子2を搭載し、凹部1aの側面における半導体レーザ素子2と信号検出用受光素子3〜8の間に存在する側面に、遮光領域10を設ける。これによって、半導体レーザ素子2から出射された光に含まれる迷光が遮光領域10で遮光され、信号検出用受光素子3〜8の周辺において半導体基板1の表面に迷光キャリアが発生することが防がれ、迷光キャリアが信号検出用受光素子3〜8に吸収されないため、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる。 |
| 公开日期 | 2000-01-24 |
| 申请日期 | 1998-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33594]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲浜▼口 真一,広瀬 正則,鶴田 徹,等. 光半導体装置. JP3002180B1. 1999-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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