半導体レーザ装置およびその製造方法、並びに、ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 竹岡 忠士 |
| 发表日期 | 2005-08-12 |
| 专利号 | JP3709077B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法、並びに、ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 780nm帯と650nm帯との発光波長を安定して得る。 【解決手段】 第1発光部1は、n-GaAs基板5の一側に形成されてダブルヘテロ接合構造および電流阻止層でなる。第2発光部2は、n-GaAs基板5の他側に形成されてダブルヘテロ接合構造および電流阻止層でなる。第1発光部1のダブルヘテロ接合構造と電流阻止層との材料はAlGaAsとGaAsである。また、第2発光部2のダブルヘテロ接合はAlGaInPとGaInPとである。こうして、第1発光部1では、波長が780nmの光を出射する一方、第2発光部2では、波長が650nmの光を出射する。こうして、CD-Rメディアを含めた総てのDVDメディアおよびCDメディアの情報を読み出すことを可能にする。 |
| 公开日期 | 2005-10-19 |
| 申请日期 | 1998-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33595]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹岡 忠士. 半導体レーザ装置およびその製造方法、並びに、ピックアップ装置. JP3709077B2. 2005-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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