面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 貴幸 |
| 发表日期 | 2006-03-10 |
| 专利号 | JP3778241B2 |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ出力を増したとしても、レーザ光の放射角を小さく設定することを可能とする面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザは、半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、共振器より半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、少なくとも共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体(柱状部)101が含まれる。その柱状部101のコンタクト層102は、凸レンズ面を有するレンズ形状部115を構成する。 |
| 公开日期 | 2006-05-24 |
| 申请日期 | 1998-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33600]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 貴幸. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP3778241B2. 2006-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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