面発光型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 貴幸 |
| 发表日期 | 2004-10-15 |
| 专利号 | JP3606063B2 |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 レーザ光の放射角を小さく設定でき、更に、半導体の性能を劣化させる物質に対して耐性のある面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 面発光型半導体レーザ100は、半導体基板上に有する垂直方向の共振器より半導体基板に垂直方向にレーザ光を出射し、半導体堆積体120表面に、樹脂層52を設け、該表面部にレンズ形状部54を形成し、この半導体レーザは半導体基板上、共振器を含む半導体堆積体形成し、レンズ形状部54の反転形状部を有するスタンパを、反転形状部が半導体堆積体の共振器上に位置合わせし、半導体堆積体とスタンパ間に樹脂の液状物を介在させ、樹脂の液状物を硬化させて樹脂層を形成し、レンズ形状部を形成して製造される。 |
| 公开日期 | 2005-01-05 |
| 申请日期 | 1998-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 貴幸. 面発光型半導体レーザの製造方法. JP3606063B2. 2004-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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