半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置
文献类型:专利
作者 | ラリット·ビー·シャルマ; 竹中 裕司; 古田 啓介; 小島 哲夫; 安井 公治 |
发表日期 | 2007-11-30 |
专利号 | JP4048016B2 |
著作权人 | 三菱電機株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置 |
英文摘要 | 【課題】 等方的なレーザ光を出力でき、小型、フレキシブル、低コストで、しかも複数のレーザダイオードバーを積層することによる高出力化が可能な半導体レーザ光源を提供すること。 【解決手段】 半導体レーザダイオードを複数個配列してなるレーザダイオードアレイと、レーザダイオードアレイの出力レーザ光のビーム形状を整形するビーム整形器と、レーザダイオードアレイをビーム整形器に光学的に接続するレンズ系とを備えた半導体レーザ光源において、ビーム整形器中に、屈折率が中心軸から外周に向かって2次関数的に減少する透明ロッドを設ける。レーザダイオードアレイの出力レーザ光が透明ロッド内を伝搬することにより、出力レーザ光のビーム品質因子の異方性が解消される。 |
公开日期 | 2008-02-13 |
申请日期 | 2000-03-10 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33656] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱電機株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ラリット·ビー·シャルマ,竹中 裕司,古田 啓介,等. 半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置. JP4048016B2. 2007-11-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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