半導体レーザの製法
文献类型：专利
| 作者 | 石田 ▲祐▼士; 上林 秀史 |
| 发表日期 | 2012-02-03 |
| 专利号 | JP4917704B2 |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 用途に応じてLDチップとPDとの接続構造を、いわゆるMタイプ、Pタイプ、Nタイプなどのいずれの構造でも自由に製造し得ると共に、絶縁膜による容量の問題を生じさせないで、高周波特性を劣化させずに、さらに小形化し得る半導体レーザを提供する。 【解決手段】 金属製のヒートシンク11上に、AlNやSiCなどの熱伝導率が大きい絶縁体からなり、平面形状がほぼ長方形状のサブマウント2が設けられている。このサブマウント2の表面には、長方形の長辺方向に半分より大きい部分と残部とに分離して、第1および第2のメタル層21、22が設けられ、第1のメタル層21上にLDチップ3が設けられ、LDチップ3の出射面の後ろ側におけるヒートシンク11上に、サブマウント2と並置してPD4が設けられ、そのPD4の高さHPがサブマウント2の高さHS以下に形成されている。 |
| 公开日期 | 2012-04-18 |
| 申请日期 | 2000-06-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33666]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 ▲祐▼士,上林 秀史. 半導体レーザの製法. JP4917704B2. 2012-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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