半導体発光素子およびそれを使用した表示装置
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 幸生; 伊藤 茂稔 |
| 发表日期 | 2004-01-16 |
| 专利号 | JP3511372B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置 |
| 英文摘要 | 【課題】光取り出し効率に優れている。 【解決手段】サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、n型GaNコンタク層13、n型InGaN量子井戸活性層14、p型AlGaN昇華防止層15、p型GaNコンタクト層16が順次積層されており、量子井戸活性層14は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。量子井戸活性層の端面から外部に出射される自然放出光は、サファイア基板11の基板面に平行な方向に偏光している。 |
| 公开日期 | 2004-03-29 |
| 申请日期 | 2000-06-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33667]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 幸生,伊藤 茂稔. 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置. JP3511372B2. 2004-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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