半導体レーザ装置、光ピックアップおよび半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 塩本 武弘; 野崎 顕三; ▲吉▼田 智彦 |
| 发表日期 | 2007-09-28 |
| 专利号 | JP4017334B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、光ピックアップおよび半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が容易で戻り光の反射を問題ないレベルにまで低下した半導体レーザ装置、光ピックアップおよび半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザチップ1を搭載したステム3を有する半導体レーザ装置であって、ステム3は、半導体レーザチップ搭載面3aと、レーザ光被照射物側に面する、搭載面に交差する交差面3bとを有し、交差面に向かうレーザ光のうち当該交差面で反射してレーザ光被照射物6の側に向かう光量を減らすように、当該交差面に、レーザ光に対する反射率を当該交差面の反射率よりも低下させる反射率低減材料7が塗布されている。 |
| 公开日期 | 2007-12-05 |
| 申请日期 | 2000-10-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33694]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塩本 武弘,野崎 顕三,▲吉▼田 智彦. 半導体レーザ装置、光ピックアップおよび半導体レーザ装置の製造方法. JP4017334B2. 2007-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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