半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大野 智輝; 伊藤 茂稔 |
| 发表日期 | 2011-02-10 |
| 专利号 | JP4678805B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 可飽和吸収層内の光吸収によって生成されたキャリアの寿命を短縮する。 【解決手段】 n型GaN基板11上に、光の吸収量が飽和する特性を備えているInGaNから成る可飽和吸収層19が設けられており、そのInGaNから成る可飽和吸収層19にC(炭素)が添加(ドーピング)されている。 |
| 公开日期 | 2011-04-27 |
| 申请日期 | 2001-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33721]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 智輝,伊藤 茂稔. 半導体発光装置およびその製造方法. JP4678805B2. 2011-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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