半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 琵琶 剛志; 奥山 浩之; 土居 正人; 大畑 豊治 |
| 发表日期 | 2007-06-15 |
| 专利号 | JP3969029B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 成長基板上の窒化物系化合物半導層を素子に分離する際に、下地成長層を成長基板とともに分離することができ、第一導電層に裏面から電極を効率良く形成することができる半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供することを目的とする【解決手段】 基板上に形成される下地成長層より小さいバンドギャップエネルギーの半導体を用いて第一導電層を形成すると、これらのバンドギャップエネルギーの間にエネルギー値を有するレーザ光を照射すると、下地成長層と第一導電層との第一導電層側界面においてアブレーションが生じ、選択成長により形成された半導体成長層は基板及び下地成長層から分離されると同時に素子毎に分離され、結晶性が良く電極形成に適した第一導電層に効率良く裏面から電極を形成することができる。 |
| 公开日期 | 2007-08-29 |
| 申请日期 | 2001-08-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33749]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 琵琶 剛志,奥山 浩之,土居 正人,等. 半導体素子の製造方法. JP3969029B2. 2007-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。