半導体レーザおよびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 内田 智士; 股木 宏至 |
| 发表日期 | 2004-05-14 |
| 专利号 | JP3553909B2 |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ミニディスクや光磁気ディスクなどの読取りおよび書込みの両方ができる低い出力で低ノイズであり、20mW以上の高出力がえられる半導体レーザおよびその製法を提供する。 【構成】 ストライプ構造の発光領域を有する活性層4と、該活性層を挟んで両側に設けられたクラッド層3、5、8と、前記発光領域のストライプの両端に形成され、該発光領域で発生した光の一部を放射するとともに残部を反射して前記活性層内で増幅させる端面とを有する半導体レーザであって、前記活性層4に印加される電流の変化により変化する前記端面の一方から放射する光出力が、たとえば2〜7mWの範囲で可干渉性の極小値を有し、かつ、前記光出力が25mW以下の範囲で電流の増加に対して前記光出力が低下する現象が生じないようにする手段が設けられている。 |
| 公开日期 | 2004-08-11 |
| 申请日期 | 2001-08-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33750]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 智士,股木 宏至. 半導体レーザおよびその製法. JP3553909B2. 2004-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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