半導体レーザモジュールの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 立野 清和; 三代川 純; 関口 薫; 柴山 晴彦 |
| 发表日期 | 2011-02-04 |
| 专利号 | JP4676101B2 |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザモジュールの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造効率を高め、しかも、半導体レーザモジュール1の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子2の配置位置が固定されている状態で、フェルール11に挿通固定されている光ファイバ3を半導体レーザ素子2に対して調心する。その後に、フェルール11を固定用部材17の固定部10にレーザ溶接によって固定するが、その際に、レーザ溶接に起因してフェルール11が位置ずれして光ファイバ3が調心位置からずれる。このことから、レーザ溶接する前に、その光ファイバ3の位置ずれを見越して、予め、光ファイバ3を調心位置から前記位置ずれ分だけ逆方向にずらす。そして、フェルール11と固定部10をレーザ溶接する。このとき、フェルール11が位置ずれして光ファイバ3が調心位置に復帰する。 |
| 公开日期 | 2011-04-27 |
| 申请日期 | 2001-08-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33751]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 立野 清和,三代川 純,関口 薫,等. 半導体レーザモジュールの製造方法. JP4676101B2. 2011-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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