半導体モジュールの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田内 比登志; 木村 高廣; 森本 晃弘 |
| 发表日期 | 2005-01-14 |
| 专利号 | JP3636128B2 |
| 著作权人 | アイシン精機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体モジュールの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 鉛フリー半田を使用しても、リード線とサーモモジュールの接続部が破壊されることなく製造できる。 【解決手段】 放熱側絶縁基板2と吸熱側絶縁基板3で熱電素子1を挟持し第1半田材料で接合する第1工程と、放熱側絶縁基板3にリード線12を第2半田材料で接続する第2工程と、放熱側絶縁基板3をパッケージ6に第3半田材料で接合する第3工程と、吸熱側基板2に半導体素子10のチップキャリア9を第4半田材料で接合する第4工程と、リード線12をパッケージ6に設けられた端子4に第2半田材料より80℃以上低い融点の第5半田材料で接合する第5工程が設けられ、各半田材料は鉛フリーであり、第5工程を第1〜5工程の最終工程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 |
| 公开日期 | 2005-04-06 |
| 申请日期 | 2001-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33760]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アイシン精機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田内 比登志,木村 高廣,森本 晃弘. 半導体モジュールの製造方法. JP3636128B2. 2005-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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