半導体レーザ装置の実装方法
文献类型：专利
| 作者 | 持田 篤一; 井ノ上 裕人; 中尾 克; 岩田 進裕; 高森 晃; 足立 秀人; 田村 雅敏 |
| 发表日期 | 2008-02-29 |
| 专利号 | JP4087594B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の実装方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の温度上昇による寿命低下を抑制し、残留応力によるレーザ特性の劣化や半導体レーザ素子の破損を抑制する。 【解決手段】 加熱したコレット(4)で半導体レーザ素子(1)を保持して半導体レーザ素子の温度差を解消する。コレットの加熱を行わずに、接合部材の一部が凝固した時に半導体レーザ素子を解放してもよい。また、コレットの先端面を半導体レーザ素子よりも大きくし、半導体レーザ素子の反りを押え込む。また、コレットの半導体レーザ素子との接触部分近傍を熱伝導率の低い材質としてもよい。半導体レーザ素子の接合面の長軸辺近傍のみを接合部材で接合してもよい。共晶半田よりも融点の低い材質の接合部材を用いてもよい。 |
| 公开日期 | 2008-05-21 |
| 申请日期 | 2001-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33762]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 持田 篤一,井ノ上 裕人,中尾 克,等. 半導体レーザ装置の実装方法. JP4087594B2. 2008-02-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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