半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮嵜 啓介; 和田 一彦; 森本 泰司 |
| 发表日期 | 2008-06-27 |
| 专利号 | JP4146153B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 単一の半導体基板上に複数の半導体レーザを順次成長させて良好な特性を有する半導体レーザ素子を形成する。 【解決手段】 n型GaAs基板21上にAlGaAs系半導体レーザ29を形成した後、ノンドープGaAs保護層30を形成する。こうして、AlGaAs系半導体レーザ29の一部の領域をエッチング除去してn型基板21を露出させた場合に、p型GaAsコンタクト層28から不純物Znが蒸発するのを防止する。したがって、p型コンタクト層28のキャリア濃度が低下して、p型電極とのコンタクト特性が悪化するのを防止である。さらに、露出したn型基板21上に、p型コンタクト層28から蒸発した不純物が再付着することを防止できる。したがって、後にAlGaInP系半導体レーザ38を形成した際に、n型GaAs基板21と上記再付着した不純物とが混じった層が形成されず、長期駆動の際における信頼性を向上できる。 |
| 公开日期 | 2008-09-03 |
| 申请日期 | 2002-04-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮嵜 啓介,和田 一彦,森本 泰司. 半導体レーザ素子の製造方法. JP4146153B2. 2008-06-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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