光半導体装置および光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 今泉 憲二; 志水 雄三; 茶藤 哲夫; 嶋崎 豊幸; 大澤 勝市 |
| 发表日期 | 2007-08-17 |
| 专利号 | JP3997832B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置および光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 発熱による光集積回路の特性変化を改善する光半導体装置を提供する。 【解決手段】 くし形リードに設けられたダイパッド1上にマウントされている半導体基板2と、一端がワイヤボンディングされた外部入出力端子5および放熱用端子8と、前記半導体基板2上に形成された受光部3と増幅回路4、前記受光部3の周囲に設けられた放熱用ボンディングパッド9と、前記半導体基板2上に形成された外部入出力用ボンディングパッド6と、外部入出力端子5と外部入出力用ボンディングパッド6および放熱用端子8と放熱用ボンディングパッド9とを結線するワイヤ7から構成される。 |
| 公开日期 | 2007-10-24 |
| 申请日期 | 2002-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33798]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今泉 憲二,志水 雄三,茶藤 哲夫,等. 光半導体装置および光ピックアップ装置. JP3997832B2. 2007-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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