半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長崎 洋樹 |
| 发表日期 | 2008-06-27 |
| 专利号 | JP4144257B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光の指向性を高めることができ、また、特にパルセーション型のレーザの性能を向上させることできる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 レーザ素子部10Aでは第1n型クラッド層21と第2n型クラッド層23との間に光コントロール層22が形成されている。光コントロール層22によって、第1n型クラッド層21と第2n型クラッド層23からなるn型クラッド層の屈折率と、第1p型クラッド層25と第2p型クラッド層26からなるp型クラッド層の屈折率との差が補償される。活性層24の発光領域24aの光分布が、活性層24およびその近傍の領域と一致し、活性層24に対して対称となる。過飽和吸収領域24bでの光吸収が多くなることにより、パルセーションマージンが大きくなり、また、活性層24から出射された光のFFP形状が垂直方向に広くなることが防止される。 |
| 公开日期 | 2008-09-03 |
| 申请日期 | 2002-05-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33800]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長崎 洋樹. 半導体レーザおよびその製造方法. JP4144257B2. 2008-06-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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