半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 山本 圭; 大林 健 |
| 发表日期 | 2008-09-12 |
| 专利号 | JP4185716B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】Alフリーで且つΔEgの大きさに因らずに特性を向上させる。 【解決手段】活性領域をDQW構造とし、P組成が0.2よりも大きく且つ0.75よりも小さく、井戸層の歪量(=基板の歪量)との差が-0.65%よりも大きいGaAsPあるいはInGaAsPでバリア層を構成し、GaAs基板と格子整合したInGaAsPで井戸層を構成する。従来の場合のInGaPバリア層に比べ、GaAs基板に対するEvの差|ΔEv0|を小さく設定できる。したがって、ガイド層からの井戸層へのホールの注入の効率が大幅に改善される。さらに、バリア層と井戸層との間のΔEcを0.12eV以上に設定でき、井戸層からの電子のオーバーフローを抑制できる。こうして、井戸層とバリア層とのΔEgは小さいにも拘わらず、InGaPバリア層に比較して素子特性を著しく向上できる。 【選択図】 図2 |
| 公开日期 | 2008-11-26 |
| 申请日期 | 2002-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33807]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 圭,大林 健. 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置. JP4185716B2. 2008-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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