光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 稲垣 勝人; 山内 淨 |
| 发表日期 | 2008-10-03 |
| 专利号 | JP4192517B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】発光素子、又は/及び受光素子等からなる光半導体素子の動作により生じた熱を効率良く放散できるようにすると共に、光半導体装置の小型化に貢献できるようにする。 【解決手段】光ディスクに所定の情報を書き込み、又は/及び該光ディスクに書き込まれた情報を読み込む光ピックアップ装置用の光半導体装置100であって、発光素子、又は/及び受光素子からなる光半導体素子1と、この光半導体素子1を支持するダイパッド部10と、このダイパッド部10で支持された光半導体素子1を封止する樹脂パッケージ3と、モールド樹脂PKG4及びHOEパターンが印刷された透明樹脂6とを備え、このダイパッド部10の樹脂パッケージ3から露出した部位10A及び10Bは該光半導体装置100を支持するOPスライドベース50の内側の面に沿いながら接触するように約90°折り曲げられたものである。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2008-12-10 |
| 申请日期 | 2002-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33808]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲垣 勝人,山内 淨. 光半導体装置及びその製造方法. JP4192517B2. 2008-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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