雷射照射方法,雷射照射裝置,及製造半導體裝置的方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中幸一郎; 森若智昭 |
| 发表日期 | 2007-04-11 |
| 专利号 | TWI279052B |
| 著作权人 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 雷射照射方法,雷射照射裝置,及製造半導體裝置的方法 |
| 英文摘要 | 利用位於被照射表面緊鄰的細縫，清除或減小雷射的衰減區，致使在雷射光端部獲得陡峭的能量分佈。細縫被置於被照射表面緊鄰的理由是為了抑制雷射光的擴展。此外，利用平面鏡代替細縫來折疊雷射光的衰減區，以便相互提高衰減區中的能量密度，致使在雷射光端部中獲得陡峭的能量密度分佈。 |
| 公开日期 | 2007-04-11 |
| 申请日期 | 2002-08-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33810]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中幸一郎,森若智昭. 雷射照射方法,雷射照射裝置,及製造半導體裝置的方法. TWI279052B. 2007-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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