半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野澤 和利; 上田 哲三; 上田 大助 |
| 发表日期 | 2007-12-21 |
| 专利号 | JP4057861B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ハイブリッドに集積化する半導体レーザ素子アレイにおいて、各半導体レーザチップの発光点の間隔を自己整合的に制御できるようにする。 【解決手段】半導体レーザ装置100は、例えばシリコンからなり、その主面に互いに間隔をおいて形成された第1のリセス部10a及び第2のリセス部10bとを有する基板10を備えている。第1のリセス部10aには、赤外レーザ光を発光する機能ブロック化された第1の半導体レーザ素子11が嵌め込まれ、第2のリセス部10bには、赤色レーザ光を発光する機能ブロック化された第2の半導体レーザ素子12が嵌め込まれている。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2008-03-05 |
| 申请日期 | 2002-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33812]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野澤 和利,上田 哲三,上田 大助. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP4057861B2. 2007-12-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。