雷射照射方法及雷射照射裝置以及半導體裝置之製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中幸一郎; 宮入秀和; 志賀愛子; 下村明久; 磯部敦生 |
| 发表日期 | 2007-06-11 |
| 专利号 | TWI282649B |
| 著作权人 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 雷射照射方法及雷射照射裝置以及半導體裝置之製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明之特徵在於藉由係傾斜入射到凸透鏡的雷射光束，出現諸如像散等的像差，並且雷射光束的形狀在照射表面或其周圍區域內形成線形。因為本發明具有非常簡單的結構，光線調整較容易，並且裝置尺寸變小。此外，由於光束相對於被照體為傾斜入射的，可防止返回光束。 |
| 公开日期 | 2007-06-11 |
| 申请日期 | 2002-09-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33815]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中幸一郎,宮入秀和,志賀愛子,等. 雷射照射方法及雷射照射裝置以及半導體裝置之製造方法. TWI282649B. 2007-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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